Коллоквиум 12 февраля 2026 г. - Кручься или не крутиться в Флэтлендсе?

Эмануэль Тутук Кафедра электротехники и вычислительной техники, Техасский университет в Остине Скручивать или не скручивать в плоских структурах Догма инженерии зонной структуры в полупроводниковых гетероструктурах заключается в том, что электронные свойства можно изменять, комбинируя разнородные материалы с почти идентичными постоянными решетки. Ковалентная связь во время эпитаксиального роста регистрирует решетки и позволяет получать кристаллы с широким спектром полезных и регулируемых свойств. Появление гетероструктур Ван-дер-Ваальса из двумерных (2D) материалов добавило новый инструмент в проектирование электронных материалов, а именно контроль угла скручивания между различными 2D кристаллами в гетероструктуре. Это, в свою очередь, открыло возможности для управления взаимодействием и топологией в гетероструктурах Ван-дер-Ваальса с контролируемым скручиванием. В этой презентации будут описаны экспериментальные достижения в реализации гетероструктур Ван-дер-Ваальса с контролируемым скручиванием, на примерах двойных слоев с контролируемым скручиванием и независимыми контактами, а также муаровых узоров графена с контролируемым скручиванием.