Методика проведения испытаний SiC-диодов и MOSFET-транзисторов в условиях воздействия тяжелых ионов

Докладчик: Хуан Морено получил степень бакалавра физики в Мадридском университете Комплутенсе. В компании ATN он отвечал за проверку и квалификацию блокирующих диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC) для солнечных батарей BepiColombo и Solar Orbiter, а также был техническим руководителем оценки транзисторов SiC на основе МОП-транзисторов и JFET. В настоящее время он отвечает за оценку высоковольтных SiC-диодов и радиационно-стойких МОП-структур. Краткое содержание доклада: При тестировании SiC MOSFET и диодов Шоттки под воздействием излучения тяжелых ионов появляются новые режимы отказов, не наблюдаемые в кремнии. Повреждение затвора транзисторов остается незамеченным даже при мониторинге тока стока и утечки затвора транзистора в условиях высокого напряжения смещения. Только тест PIGS (Post Irradiation Gate Stress — пост-радиационное воздействие на затвор) выявляет кумулятивное повреждение, вызванное ионами, снижающими способность оксида затвора выдерживать напряжение. Другая проблема возникает при тестировании диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC), где сочетание высокого напряжения и тяжелых ионов приводит к кумулятивной необратимой деградации. Необходимо применять новые стратегии тестирования для обнаружения и понимания этих новых режимов отказов. Это лучшее понимание начинается с определения критических параметров и попытки установить безопасные условия эксплуатации, которые позволили бы использовать силовые SiC-устройства в ограниченном пространстве.