Схема 9. Добавление полевого транзистора n-канального с изолированным затвором

136 подписчиков

12+
12+

16 просмотров

3 дня назад

ПожаловатьсяНарушение авторских прав

136 подписчиков

12+
12+

16 просмотров

3 дня назад

ПожаловатьсяНарушение авторских прав
12+
12+

16 просмотров

3 дня назад

Что произойдет, если подключить MOSFET IRFR4105 к мощной нагрузке и подать питание 50 В? ⚡ В этом эксперименте разбираем работу схемы с тремя лампами 12 В, резистором 40 Ом и MOSFET IRFR4105. На схеме установлены два измерительных прибора: 🔹 XMM1 — измеряет напряжение непосредственно на MOSFET Q1 и позволяет увидеть падение напряжения на транзисторе. 🔹 XMM2 — измеряет ток всей силовой цепи. 🔹 V1 = 4 В — управляющее напряжение затвора. 🔹 V2 = 50 В — основной источник питания. 🔹 R1 = 1 кОм — резистор в цепи затвора. 🔹 R2 = 40 Ом — дополнительная нагрузка, ограничивающая ток. 🔹 X1, X2, X3 — три лампы по 12 В. Главный вопрос эксперимента: насколько сильно нагревается MOSFET и сколько напряжения теряется на нём при включении нагрузки? Разберём принцип работы схемы, посмотрим показания амперметра и вольтметра и поймём, насколько эффективно IRFR4105 управляет нагрузкой. ⚠️ Важно: схема работает с напряжением до 50 В. При сборке реальной схемы необходимо учитывать допустимые напряжения и токи MOSFET, мощность рассеяния, нагрев радиатора и безопасность источника питания. Если вам интересны MOSFET, силовая электроника, транзисторные ключи, расчёт тока и напряжения, подписывайтесь на канал и ставьте 👍 🔎 Ключевые слова IRFR4105, MOSFET, MOSFET транзистор, IRFR4105 схема, силовой ключ, транзисторный ключ, 50 В, 12 В лампа, проверка MOSFET, измерение тока, измерение напряжения, падение напряжения на MOSFET, электроника, схемы, силовая электроника, эксперимент с транзистором, как работает MOSFET